METHODOLOGY FOR CREATING THERMOELECTRIC SENSITIVE FILMS BASED ON BISMUTH-ANTIMONY TELLURIDES WITH REPRODUCIBLE CHARACTERISTICS
Keywords:
:bismuth tellurides, thermoelectric properties, strain-sensitive films, Seebeck coefficient, low thermal conductivity, thermoelectric devices, strain transducers.Abstract
This paper presents methods for obtaining thermoelectric films based on bismuth-antimony tellurides with reproducible characteristics. Their thermoelectric properties, including a high Seebeck coefficient, low thermal conductivity, and stable electrical conductivity, have been studied, making them promising for use in thermoelectric generators, cooling devices, and flexible electronic systems. The features of the production technology, including thermovacuum deposition and annealing, as well as material durability testing under cyclic loading conditions, are discussed.
References
1.Гольцман Б.М., Кудинов В.А., Смирнов И.А. / Полупроводниковые термоэлектрические материалы на основе . М.: Наука,1972. с.302-309.
2.Goldsmid, H. J. “Introduction to Thermoelectricity.” Springer, 2010.
3.Rowe, D. M. “Thermoelectric Handbook: Macro to Nano.” CRC Press, 2005.
4.Heremans, J. P. “Thermoelectric Materials: Advances and Applications.” Nature Materials, vol. 10, 2011, pp. 569–585.
5.Venkatasubramanian, R., Siivola, E., Colpitts, T., O'Quinn, B. “Thin-film thermoelectric devices with high room-temperature figures of merit.” Nature, vol. 413, 2001, pp. 597–602.
6.Муртазаев, А. К., и др. “Термопары и их применение.” Наука, 2015.
7.Ravich, Y. I., Efimova, B. A., Smirnov, I. A. “Semiconducting Lead Chalcogenides.” Springer, 1970.
8.Snyder, G. J., Toberer, E. S. “Complex thermoelectric materials.” Nature Materials, vol. 7, 2008, pp. 105–114.
9.Щенников В.В., Коробейников И.В., Морозова Н.В. Влияние физических и «геометрических» факторов на свойства термоэлектрических материалов. // Термоэлектричество. 2013. № 6. с. 41–52.
10.Анатычук Л.И. Физика термоэлектричества. / Украина, г. Черновцы, изд-во «Букрек». 2008. c.368-373.
11.Scherrer H., Scherrer S. Thermoelectric properties of bismuth antimony telluride solid solutions. / In: Rowe D.M., editor. Thermoelectric Handbook: Macro to Nano. CRC Taylor and Francis; Boca Raton, FL, USA: 2012. Pp. 126-154.
12.Юсупова, Д. А., Сирожиддинова, С. З., & Толипов, Ж. (2023, November). ИССЛЕДОВАНИЕ ФИЗИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ, ПРОТЕКАЮЩИХ В МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ СОЕДИНЕНИЯХ ТЕЛЛУРИДОВ ВИСМУТА И СУРЬМЫ. In Fergana state university conference (pp. 71-71).
13.Юсупова, Д. А., & Толипов, Ж. (2022). ПОЛУЧЕНИЕ ГЕТЕРОФАЗНЫХ СИСТЕМ НА ОСНОВЕ ТЕЛЛУРИДОВ ВИСМУТА-СУРЬМЫ. Новости образования: исследование в XXI веке, 1(4), 175-181.
14.Мухамедиев, Э., Шамирзаев, С., Онаркулов, К., Юсупова, Д., & Смирнов, В. (2004). Технологические установки для получения чувствительных элементов ДНУП на основе (BiSb) 2-xTe3+ x. In Международная конференция, посвященная.
15.Юсупова, Д. А., & Сирожиддинова, С. З. (2021). Исследование структуры и эффективной плотности электронных поверхностных состояний полупроводниковых плёнок. Академик Р.А.Муминов таваллудининг 80-йиллигига бағишланган “Яримўтказгичлар физикаси, микро наноэлектрониканинг фундаментал амалий муаммолари” мавзусидаги I-халқаро анжуман материаллари тўплами. 66-68 б.
16.Юсупова, Д. А. (2022). Изучения роли эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических полупроводниковых пленках при наложении циклической деформации. involta Scientific Journal, 1(6), 416-424.
17.Шамирзаев, С. Х., Юсупова, Д. А., Мухамедиев, Э. Д., & Онаркулов, К. Э. (2006). Определение эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических пленках Bi₂Te₃–Sb₂Te₃. Физическая инженерия поверхности., 2006. Т.4, №1-2.С. 86-90
18.Юсупова, Д. А. (2019). Влияние межгранульных поверхностных условий на формирование пороговой проводимости двухкомпонентных полупроводниковых смесей теллуридов висмута-сурьмы.//1 International Congress of The Turkie World on Health and Natural Sciences.21-23 april.
19.Юсупова, Д. А., & Толипов, Ж. (2022). Получение гетерофазных систем на основе теллуридов висмута-сурьмы. Новости образования: исследование в XXI веке, 1(4), 175-181.2019.Osh. Kyrgyzstan.183- 189 page.
20.Юсупова, Д. А. (2023). Эффективные электронные поверхностные состояния в полупроводниках. World of Science, 6(9), 77-81.
21.Юсупова, Д. А. (2022). Изучения роли эффективной плотности электронных поверхностных состояний в нанокристаллических полупроводниковых пленках при наложении циклической деформации.
